Маҳсулот

GaSe Crystal

Gallium Selenide (GaSe) як кристали оптикии ғайрихаттӣ, ки коэффисиенти бузурги ғайрихаттӣ, ҳадди зарари баланд ва диапазони васеи шаффофиятро муттаҳид мекунад.Ин маводи хеле мувофиқ барои SHG дар миёнаи IR аст.
Кристаллҳои ZGP (ZnGeP2).

Кристаллҳои ZGP дорои коэффисиентҳои бузурги ғайрихаттӣ (d36=75pm/V), диапазони васеи шаффофияти инфрасурх (0,75-12μm), гармии баланд (0,35Вт/(см·К)), ҳадди баланди зарари лазерӣ (2-5J/cm2) ва Хусусияти коркарди хуб, булӯри ZnGeP2 подшоҳи кристаллҳои оптикии инфрасурхи ғайрихаттӣ номида шуд ва то ҳол беҳтарин маводи табдили басомад барои тавлиди лазерии инфрасурх бо қудрати баланд аст.Мо метавонем сифати баланди оптикӣ ва диаметри калон кристаллҳои ZGP бо коэффисиенти хеле пасти азхудкунии α < 0,05 см-1 (дар дарозии мавҷҳои насосӣ 2,0-2,1 мкм) пешниҳод кунем, ки онҳоро барои тавлиди лазери танзимшавандаи миёнаи инфрасурх бо самаранокии баланд тавассути OPO ё OPA истифода бурдан мумкин аст. равандҳо.
Кристаллҳои AGSe(AgGaSe2).

AGSeКристаллҳои AgGaSe2 кунҷҳои банд дар 0,73 ва 18 мкм доранд.Диапазони муфиди интиқоли он (0,9-16 микрон) ва қобилияти мувофиқати фазаҳои васеъ барои барномаҳои OPO ҳангоми насоси лазерҳои гуногун потенсиали аъло фароҳам меорад.Ҳангоми обкашӣ бо лазери Ho:YLF дар 2,05 μm танзим дар ҳудуди 2,5–12 микрон ба даст омад;инчунин амалиёти мутобиккунии фазаи гайрикритикй (NCPM) дар доираи 1,9-5,5 микрон хангоми обкашй дар 1,4-1,55 микрон.AgGaSe2 (AgGaSe2) ҳамчун кристали самараноки басомади дукарата барои радиатсияи лазерҳои инфрасурх CO2 нишон дода шудааст.
Кристалҳои AGS (AgGaS2).

AGS аз 0,50 то 13,2 мкм шаффоф аст.Гарчанде ки коэффисиенти оптикии ғайрихаттии он дар байни кристаллҳои инфрасурхи зикршуда пасттарин аст, шаффофияти баланди мавҷи дарозии кӯтоҳ дар 550 нм дар OPOs, ки бо лазери Nd:YAG насос карда мешавад, истифода мешавад;дар таҷрибаҳои сершумори омехтакунии басомадҳои фарқият бо диод, Ti: Sapphire, Nd: YAG ва лазерҳои рангкунии IR, ки диапазони 3-12 микронро фаро мегиранд;дар системаҳои муқовимати мустақими инфрасурх ва барои SHG лазерии CO2.Пластинаҳои булӯрии борик AgGaS2 (AGS) барои тавлиди набзи ултракӯтоҳ дар диапазони миёнаи IR тавассути тавлиди басомадҳои фарқият бо истифода аз импулсҳои дарозии мавҷи NIR маъмуланд.
Кристаллҳои BGSe(BaGa4Se7).

Кристаллҳои баландсифати BGSe (BaGa4Se7) аналоги селениди пайвастагии халькогениди BaGa4S7 мебошад, ки сохтори орторомбии ацентрикии он дар соли 1983 муайян шуда буд ва таъсири IR NLO дар соли 2009 гузориш дода шуда буд, як кристали навтаъсиси IR NLO мебошад.Он тавассути техникаи Bridgman-Stockbarger ба даст оварда шудааст.Ин кристалл гузариши баландро дар доираи васеи 0,47–18 мкм нишон медиҳад, ба истиснои қуллаи ҷаббида тақрибан 15 мкм.
Кристаллҳои BGGSe(BaGa2GeSe6).

Кристали BaGa2GeSe6 дорои ҳадди баланди осеби оптикӣ (110 МВт/см2), диапазони васеи шаффофияти спектрӣ (аз 0,5 то 18 мкм) ва ғайрихаттӣ (d11 = 66 ± 15 pm/V) мебошад, ки ин кристаллро барои табдили басомади радиатсияи лазерӣ ба (ё дар дохили) диапазони миёнаи IR.